title_image
トップ 会社概要 Dブログ botan_grinding お問い合わせ

多結晶及び単結晶SiC,GaN CMP受託加工/多結晶SiC上のSiO2接合前CMP受託加工
単結晶の難削材料(SiC,GaN etc...)の他、近年ではパワーデバイスに用いられる多結晶の難削材料に対し
ての表面粗さの向上が要求されます。

多結晶 難削材料の向上CMP受託加工に要求される表面粗さはRaでおよそ0.3nm以下。
一般的なポリッシングでは達成することは非常に困難です。

D-processではそれら難削材料の表面粗さをCMPプロセスで解決致しました。
D-processのCMP受託加工では多結晶の難削材料に対してRaで0.1〜0.3nmを達成。
D-processのCMP受託加工ではグレインの大小にに左右されることなく表面の精度を確保致します。

また、表面粗さを整えた多結晶の難削材料に絶縁層を堆積することが一般的でありますが、その絶縁層の
表面粗さに対してもRa0.2nm以下が要求されることがあります。
D-processのCMP受託加工では、多結晶の難削材料上の絶縁層に対してもRa0.2以下を達成致しました。

D-processのCMP受託加工はCMP加工後の超精密洗浄にも重きをおいておりお客様の次工程にもスムースに
移行可能です。

D-processのCMP受託加工はCMP加工から超精密洗浄まで一貫したサービスを提供しておりお客様より好評を頂いております。

cmp_foundry
bonding foundry
めっき受託加工
SiC,GaN
grinding foundry
polishing slurry