title_image
トップ 会社概要 Dブログ botan_grinding お問い合わせ

SiC,GaN用CMP slurry

 ■SiC用CMP slurry                Model:Horizonor Venus  

使用装置    :Lapmaster社製
使用パッド:発泡ウレタン
加工圧力 :6psi以上
Wafer :φ2”SiC4H Just Si面
表面初期状態:DP (2um)

砥粒:コロイダルシリカ
Ph:中性付近
特徴:光触媒反応を応用
使用方法:2液混合タイプ
表面粗さ:Ra 0.08nm


 ■GaN最終仕上げ用CMP slurry           Model:Horizonor Red line 

使用装置    :Lapmaster社製
使用パッド:発泡ウレタン
加工圧力    :4psi
Wafer         :φ2”  

砥粒:コロイダルシリカ
Ph:アルカリ
特徴:低砥粒濃度
使用方法:1液タイプ
表面粗さ:Ra 0.154nm