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CMP Foundry |TSV CMP受託加工|

 ■TSV CMP受託加工                
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<プロセス一例>
Si貫通孔Cu plug形成にダマシンプロセスを適用したケース

1.厚膜によるスループット低下

2.長い加工時間による面内均一性の悪化

3.厚膜が起因した数百μmオーダーの基板反り

4.様々な配線・バリア・絶縁材料を用いた困難な構造

5.貫通孔構造に起因した基板強度の低下

※左の画像をクリックすると拡大出来ます。


TSVのCu CMPではLSIにおけるCMPに対して厚膜であることが多いです。
CMP加工条件によっては、数時間もの加工時間を要することがあります。

D-processのCMP受託加工では、通常の半導体用Cu CMPに用いられるCu slurryに対して10倍近くの加工速度を
確保しているスラリーを用いたCMPプロセスを適用しているため短時間に処理を終えることができます。

加工時間の短縮は、スループットの他に加工精度の向上にも寄与しており、数十ミクロンのCu CMPも
D-processのCMP受託加工では10分程度の処理時間で加工を終えることができます。

D-processのCMP受託加工では超高速Cu CMPプロセスを用いることにより、加工時間の短縮することに成功し
パッド/ウェーハ間の熱の発生を最低限にとどめ、ディッシングを極限まで低減することを可能としました。

D-processのCMP受託加工では超高速Cu CMPの確立により超高精度且つ低価格を実現しております。